GHW-12Z ENI

ENI GHW-12Z（备件号 GHW12Z-13DF2N0-001）是MKS Instruments旗下ENI品牌研发的工业级射频等离子体发生器，专为半导体薄膜沉积与蚀刻工艺设计。该产品通过1250W高稳定功率输出与13.56MHz标准频率，为PECVD、RIE等工艺提供高密度等离子体，满足集成电路、显示面板制造的纳米级精度需求。

应用场景

在三星西安3D NAND晶圆厂中，ENI GHW-12Z 驱动PECVD反应腔：

· 1250W射频功率激发均匀等离子体，沉积氮化硅薄膜；

· 自动阻抗匹配技术实时补偿腔体波动（响应≤10ms），薄膜均匀性提升至±1.8%（传统设备>±5%），单线年增产晶圆12万片。

核心参数速览

技术原理与创新价值

· 创新点1：动态阻抗匹配
采用伺服控制反射计实时监测负载，自动调谐电容-电感网络，晶圆尺寸切换时功率波动**<±2%**，良品率提升18%。

· 创新点2：AMAT原生协议集成
直接兼容 Applied Materials GEM 300协议，无缝接入P5000设备，故障诊断效率提高50%。

· 创新点3：模块化热插拔
功率放大器与控制器分离设计，带电更换<15分钟，维护停机时间缩短70%。

应用案例与行业价值

案例1：3D NAND薄膜沉积（三星西安）

· 痛点：多层堆叠膜厚不均导致良率下降。

· 方案：GHW-12Z 自动优化等离子体分布，实时调节阻抗匹配。

· 结果：缺陷率降低40%，年增效210万美元。

案例2：Micro-LED蚀刻（京东方B20线）

· 场景：蓝宝石衬底50nm图形蚀刻。

· 方案：1250W激发氟基等离子体，配合RIE工艺。

· 效益：蚀刻速率提升35%，侧壁垂直度达89°±0.5°。

相关设备协同方案

1. AMAT P5000 RF Match：阻抗匹配网络，与 GHW-12Z 构成闭环控制。

2. MKS Spectra B-5002：同品牌射频源，提供热备份冗余。

3. ENI DCG-200电源：直流偏压电源，协同控制等离子体鞘层电势。

4. Bently Nevada 3500：振动监测模块，预防腔体机械共振。

5. Allen Bradley 1761-NET：以太网网关，扩展非AMAT产线控制接口。