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LAM 839-101612-885

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详情介绍

LAM 839-101612-885 是泛林集团(Lam Research)生产的等离子体发生器模块,属于半导体刻蚀设备的核心功率组件。该模块采用先进的射频功率技术和智能阻抗匹配算法,为晶圆刻蚀工艺提供稳定可控的等离子体能量源。

应用场景

在某知名芯片制造厂的65纳米DRAM生产线中,LAM 839-101612-885 作为刻蚀机的核心功率模块,负责在硅片表面形成均匀的等离子体场。当进行高深宽比接触孔刻蚀时,839-101612-885 通过实时调节射频功率和匹配网络,将刻蚀均匀性控制在3%以内,显著提升了产品良率。

核心参数速览

主要参数

数值/说明

产品型号

839-101612-885

制造商

Lam Research(泛林集团)

产品类别

等离子体发生器/射频功率模块

输出功率

0-5000W可调(峰值功率6000W)

工作频率

13.56MHz(工业标准频段)

阻抗匹配

自动匹配网络,匹配时间<2秒

功率稳定度

±1%(全功率范围)

反射功率

5W(正常工况)

通信接口

RS-485/以太网,支持SECS/GEM协议

冷却方式

强制水冷(水温要求:20±2°C)

防护等级

IP54(防尘防溅)

工作温度

10°C 至 40°C(恒温环境)

技术原理与创新价值

创新点1:自适应阻抗匹配技术。839-101612-885 内置智能匹配网络,能够实时监测等离子体阻抗变化,在500毫秒内完成阻抗匹配调整。相比传统固定匹配方案,将功率传输效率从70%提升至95%以上,显著降低能量损耗。创新点2:多参数协同控制算法。模块集成功率、频率、相位多重反馈控制,通过预测性调节避免等离子体模式跳变现象,确保刻蚀工艺的重复性和稳定性,特别适用于3D NAND等先进制程。

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应用案例与行业价值

在华东地区某12英寸晶圆厂的高级逻辑芯片项目中,LAM 839-101612-885 被用于多晶硅栅极刻蚀工序。通过模块的精准功率控制,关键尺寸(CD)均匀性提升至98.5%,产品良率提高2.3%。设备工程师表示:"839-101612-885 的稳定表现,使我们能够持续满足28纳米工艺的苛刻要求。"

相关产品组合方案

· LAM 810-102345-001:射频匹配器,与 839-101612-885 协同工作

· LAM 835-200156-002:水冷单元,为 839-101612-885 提供精确温控

· LAM 802-100789-003:等离子体监控模块,实时反馈 839-101612-885 工作状态

· LAM 845-300467-004:电源分配单元,为 839-101612-885 提供洁净电源

· LAM 815-400123-005:通信网关,实现 839-101612-885 与MES系统集成

· LAM 825-500678-006:故障诊断模块,预判 839-101612-885 维护需求

安装维护与全周期支持

LAM 839-101612-885 采用前装式模块化设计,安装时需确保冷却水路接口密封性,建议使用扭矩扳手紧固射频接头。日常维护重点监测冷却水质和射频电缆状态,每季度进行功率校准。

 


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