



LAM 839-101612-885 是泛林集团(Lam Research)生产的等离子体发生器模块,属于半导体刻蚀设备的核心功率组件。该模块采用先进的射频功率技术和智能阻抗匹配算法,为晶圆刻蚀工艺提供稳定可控的等离子体能量源。
在某知名芯片制造厂的65纳米DRAM生产线中,LAM 839-101612-885 作为刻蚀机的核心功率模块,负责在硅片表面形成均匀的等离子体场。当进行高深宽比接触孔刻蚀时,839-101612-885 通过实时调节射频功率和匹配网络,将刻蚀均匀性控制在3%以内,显著提升了产品良率。
主要参数 | 数值/说明 |
产品型号 | 839-101612-885 |
制造商 | Lam Research(泛林集团) |
产品类别 | 等离子体发生器/射频功率模块 |
输出功率 | 0-5000W可调(峰值功率6000W) |
工作频率 | 13.56MHz(工业标准频段) |
阻抗匹配 | 自动匹配网络,匹配时间<2秒 |
功率稳定度 | ±1%(全功率范围) |
反射功率 | <5W(正常工况) |
通信接口 | RS-485/以太网,支持SECS/GEM协议 |
冷却方式 | 强制水冷(水温要求:20±2°C) |
防护等级 | IP54(防尘防溅) |
工作温度 | 10°C 至 40°C(恒温环境) |
创新点1:自适应阻抗匹配技术。839-101612-885 内置智能匹配网络,能够实时监测等离子体阻抗变化,在500毫秒内完成阻抗匹配调整。相比传统固定匹配方案,将功率传输效率从70%提升至95%以上,显著降低能量损耗。创新点2:多参数协同控制算法。模块集成功率、频率、相位多重反馈控制,通过预测性调节避免等离子体模式跳变现象,确保刻蚀工艺的重复性和稳定性,特别适用于3D NAND等先进制程。


在华东地区某12英寸晶圆厂的高级逻辑芯片项目中,LAM 839-101612-885 被用于多晶硅栅极刻蚀工序。通过模块的精准功率控制,关键尺寸(CD)均匀性提升至98.5%,产品良率提高2.3%。设备工程师表示:"839-101612-885 的稳定表现,使我们能够持续满足28纳米工艺的苛刻要求。"
· •LAM 810-102345-001:射频匹配器,与 839-101612-885 协同工作
· •LAM 835-200156-002:水冷单元,为 839-101612-885 提供精确温控
· •LAM 802-100789-003:等离子体监控模块,实时反馈 839-101612-885 工作状态
· •LAM 845-300467-004:电源分配单元,为 839-101612-885 提供洁净电源
· •LAM 815-400123-005:通信网关,实现 839-101612-885 与MES系统集成
· •LAM 825-500678-006:故障诊断模块,预判 839-101612-885 维护需求
LAM 839-101612-885 采用前装式模块化设计,安装时需确保冷却水路接口密封性,建议使用扭矩扳手紧固射频接头。日常维护重点监测冷却水质和射频电缆状态,每季度进行功率校准。
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