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LAM 810-810193-003

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详情介绍

LAM 810-810193-003 是美国泛林集团(LAM Research)为其高端等离子体刻蚀设备设计的一款关键射频(RF)发生器电源模块或其核心组件。它属于半导体专用设备的核心功率及控制模块类别,负责产生并精确控制用于激发和维持工艺腔室内等离子体的高频射频能量,其性能直接决定了刻蚀工艺的速率、均匀性、轮廓精度等关键指标。

应用场景: 

在一条先进的7纳米逻辑芯片生产线上,刻蚀工序正在对覆盖在硅片上的复杂三维结构进行原子层级的精准雕刻。某台LAM 2300® Kiyo® 刻蚀机突然出现刻蚀速率波动和晶圆间均匀性变差的问题,经过工程师诊断,锁定为射频电源链路中的 LAM 810-810193-003 模块性能漂移。该模块输出的射频功率稳定性和频率纯度是维持稳定、均匀等离子体的基石。更换上全新的原装 810-810193-003 模块后,设备立刻恢复了工艺腔的“等离子体健康”状态,刻蚀轮廓重新变得陡直、均匀,单批次晶圆的良率迅速回升至管控标准内,避免了一次潜在的重大线上质量事故和产能损失。

核心参数速览: 

主要参数

数值/说明

产品型号

LAM 810-810193-003

制造商

LAM Research (泛林半导体设备公司)

产品类别

射频电源模块 / 半导体设备专用控制组件

适用设备平台

LAM 2300系列、9400系列等等离子体刻蚀设备

主要功能

射频功率生成、放大、控制与监控

射频频率

典型值为13.56 MHz 或其他LAM专用频段 (如2MHz, 60MHz)

输出功率范围

高功率级,通常覆盖数百瓦至数千瓦 (具体根据配置)

控制精度

功率、频率控制精度极高,保障等离子体稳定性

接口类型

专用高功率射频接口、数字控制总线接口、冷却接口

冷却方式

强制风冷或水冷 (取决于具体设计)

信号监控

集成反射功率、前向功率、电压电流相位等关键参数检测

安装位置

安装在刻蚀机主机架上的RF Generator单元内

安全认证

符合半导体设备国际电气安全标准

技术原理与创新价值: 

创新点1:针对高级刻蚀工艺优化的高稳定性功率输出。 LAM 810-810193-003 并非通用射频源,其电路设计、滤波技术和反馈控制环路均针对LAM特定刻蚀腔室结构和工艺配方进行了深度优化。它能够在毫秒级时间内响应工艺控制系统的指令,并抑制外部干扰,确保输出功率的幅度和频率极度稳定,这是实现先进节点刻蚀中所需的原子层精度控制(ALE)和极高均匀性的物理基础。 创新点2:集成式高级诊断与保护机制。 该模块内置了精密的传感器和诊断电路,能够实时监测自身的运行状态(如内部温度、关键点电压)以及输出至负载的射频参数(如V/I相位差、反射功率)。当检测到异常(如阻抗失配导致反射功率过高)时,它能迅速启动保护逻辑,或向主机控制系统提供预警,防止模块因过载而损坏,同时也保护了价格昂贵的工艺腔室内部件和晶圆产品。 创新点3:与LAM工艺配方及匹配网络的深度协同。 810-810193-003 的设计与LAM设备的自动阻抗匹配网络(AMU)及上游数字控制器是高度协同工作的。它能提供匹配网络所需的高精度反馈信号,共同实现快速、精准的阻抗调谐,确保从发生器到等离子体负载的射频能量传输效率始终最大化。这种系统级优化是LAM设备实现优异工艺重复性和低消耗品成本的关键之一。

应用案例与行业价值: 

案例:某存储器芯片制造厂3D NAND闪存高深宽比接触孔刻蚀。 该工艺需要在数十微米厚的堆叠薄膜中刻蚀出深窄且垂直的孔道,对射频电源的稳定性和控制能力要求达到极致。 应用流程: 在刻蚀过程中,LAM 810-810193-003 模块根据预设的复杂多步工艺配方,动态调整输出功率和频率。在刻蚀的不同阶段(如突破层、主刻蚀、过刻蚀),它需要提供不同特性的能量以控制等离子体化学和物理特性,从而保证孔底的刻蚀速率、侧壁的形貌和关键尺寸(CD)均匀性。 带来的改进: 该工厂的工艺工程师报告称:“在对刻蚀机进行预防性维护并更换了老化的 810-810193-003 射频模块后,我们最难的深孔刻蚀工艺的晶圆间均匀性(WiW)和批次间重复性(RtR)数据得到了显著改善。孔的底部关键尺寸变化减少了15%,这直接提升了后续填充工艺的良率,对提升我们3D NAND产品的存储密度和可靠性至关重要。” 这证明了 810-810193-003 在突破尖端半导体制造工艺瓶颈、保障产品性能与良率方面不可替代的核心价值。

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相关产品组合方案: 

1. LAM 自动匹配网络 (AMU) 组件:如810-1XXXXXX系列模块,与 810-810193-003 协同工作,自动调节阻抗以最大化功率传输。

2. LAM ESC 静电吸盘电源模块:如810-7XXXXXX系列,负责为承载晶圆的静电吸盘提供偏置电压,与RF电源共同控制离子能量,是刻蚀轮廓控制的关键。

3. LAM 工艺腔室射频馈入组件:如上电极或下电极匹配器、射频馈线等,构成从 810-810193-003 到等离子体的完整能量传输路径。

4. LAM 设备数字控制系统板卡:如主控制器、I/O板等,向 810-810193-003 发送控制指令并接收其状态反馈。

5. LAM 设备冷却系统组件:如水泵、水冷板、流量计等,为高功率的 810-810193-003 模块提供必要的散热保障。

6. LAM 设备气路控制模块:如MFC(质量流量控制器)、阀门驱动器等,与射频系统配合,精确控制工艺气体注入,共同决定刻蚀化学过程。

7. 同类射频电源替代/兼容模块分析服务:针对特定工况,评估并提供经严格测试的、高兼容性替代方案,以优化备件成本(需根据具体型号评估可行性)。

安装维护与全周期支持: 

LAM 810-810193-003 的安装与更换是一项高专业度工作,必须在设备完全断电、并遵循严格静电防护(ESD)和洁净规程的前提下,由经过培训的工程师执行。安装后需使用原厂或经认证的校准设备进行功率校准和系统匹配调试。 日常维护侧重于监控模块的运行温度、冷却系统状态以及设备日志中的相关报警信息。我们提供的每一片 LAM 810-810193-003 模块均保证为原厂品质或经过严格测试认证的兼容备件,并提供完整的可追溯性文件。

 


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