AMAT 0021-19312

产品系列

• 主系统平台： 此部件属于某一大类 AMAT 工艺设备平台 的一部分，例如：
  • Centura® 平台： 用于多种沉积和蚀刻工艺。
  • Endura® 平台： 用于物理气相沉积和金属化。
  • Producer® 平台： 用于化学气相沉积。
• 子系统： 气体输送系统 或 流体输送系统。
• 部件家族： 0021- 开头的部件通常与气体、液体或真空输送控制相关。19312是该家族下的具体物料号。

产品规格

• 物理形态： 一个高度集成的金属模块（通常为不锈钢或铝合金），内部集成了精密阀门、传感器、流量计和管路。设计用于直接安装在设备机柜的特定位置。
• 接口：
  • 气路接口： 采用 VCR 或 CF 等高洁净度、高密封性的接头，用于连接高纯气体钢瓶或中央供气系统。
  • 电气接口： 多芯高可靠性工业连接器，用于供电、信号接收和传感器反馈。
  • 通讯接口： 可能支持 DeviceNet, PROFIBUS 或AMAT私有协议，与设备主控制器通信。
• 洁净度等级： 设计、制造和包装均在无尘室环境下进行，确保超高洁净度，防止微粒污染。
• 防护等级： 模块本身通常不强调IP等级，而是作为整体设备的一部分，安装在温度和洁净度受控的设备内部。

产品参数（核心性能参数）

• 控制气体类型： 指定用于一种或多种特定气体（如 SiH₄, NH₃, Cl₂, CF₄, Ar 等），与内部材料相容性严格匹配。
• 流量控制范围与精度： 如果是MFC，精度极高，例如 满量程的 ±0.5%，量程可能从几 sccm 到几十 slm。
• 压力控制范围： 入口和出口压力控制范围，通常配合压力变送器实现闭环控制。
• 泄漏率： 极低，达到 < 1x10⁻⁹ atm·cc/sec He 等级，以确保工艺纯度和安全性。
• 响应时间： 阀门开关或流量稳定时间极快，通常在毫秒级，以满足快速工艺循环要求。
• 材料相容性： 所有湿润部件（阀体、密封件、管路）材质针对特定腐蚀性、毒性或自燃性气体进行特殊选择（如哈氏合金、EP级不锈钢、氟橡胶密封）。
• 额定电压/电流： 24V DC 或 其他标准工业电压。

特征

1. 超高精度与重复性： 为原子级制造工艺提供稳定、可重复的气体流量，是工艺一致性的保证。
2. 卓越的密封性与洁净度： 采用特殊设计和材料，确保零泄漏和零污染，防止工艺缺陷和设备腐蚀。
3. 快速响应与高可靠性： 满足半导体设备高吞吐量的要求，平均无故障时间极长。
4. 高度集成与智能化： 模块化设计，集成传感器和自诊断功能，便于预测性维护和快速更换。
5. 严格的安全性设计： 对于有毒、腐蚀、易燃气体，具备多重安全互锁和泄漏检测设计。
6. 与主控系统深度集成： 可通过设备软件进行精确配方控制、实时监控和故障报警。

作用

1. 精确剂量控制： 根据工艺配方，向反应腔室精确注入所需流量的反应气体。
2. 工艺气体切换： 在多步骤工艺中，快速、无交叉污染地切换不同气体。
3. 压力与流量调节： 维持工艺腔内所需的气体分压和流场状态。
4. 安全隔离与吹扫： 在非工艺时段，安全地隔离气源，并用惰性气体吹扫管路。

用途

• 在 化学气相沉积 设备中，用于输送硅源、氮源、金属前驱体等气体，以生长介电层或金属薄膜。
• 在 等离子体蚀刻 设备中，用于输送蚀刻气体（如含氟/氯气体）和钝化气体，以图形化硅片。
• 在 原子层沉积 设备中，用于脉冲式交替输送前驱体和反应气体。
• 在 离子注入 设备中，用于输送掺杂源气体。

应用领域

• 半导体芯片制造： 逻辑芯片、存储芯片制造的前道工艺。
• 先进封装： 晶圆级封装、TSV等环节的薄膜沉积与蚀刻。
• 显示面板制造： OLED、Micro-LED 生产中的薄膜沉积设备。
• 光伏电池制造： 高效晶硅太阳能电池的PECVD等设备。
• 半导体设备服务与备件： 作为关键耗材或定期更换的模块，用于设备维护。