





LAM 810-073479-215是泛林集团(Lam Research)开发的工业级信号中继核心件(GB连接器板),专用于半导体制造设备的模块化互联系统。该产品通过24针高密度接口实现设备间高速数据交换与电源管理,保障等离子刻蚀、薄膜沉积等工艺的毫秒级控制精度。

应用场景
某300mm晶圆厂CVD设备因连接器老化导致膜厚均匀性超标停机,部署 LAM 810-073479-215 后:
· 反应腔与气体供给系统的信号延迟从12ms降至0.8ms
· 设备月均无故障运行时间提升至650小时(原480小时)
· 年度晶圆报废率降低2.1个百分点
核心参数速览
参数类别 | 技术规格 |
产品型号 | 810-073479-215 |
制造商 | Lam Research |
产品类别 | 设备级互联核心件 |
端子配置 | 24针复合接口(镀金触点) |
电气性能 | 9-36V DC宽压|15A/针载流能力 |
信号完整性 | 1Gbps传输|反射损耗≤-40dB@500MHz |
机械结构 | 222×112×10.2mm|FR-4玻纤基板 |
环境耐受性 | -40℃~85℃|IP54防尘防溅 |
安全认证 | UL 94V-0阻燃|IEC 61000-4 ESD 8kV |
技术原理与创新价值
1. 等离子体防护拓扑:
纳米氧化铝镀层使耐等离子腐蚀寿命>30,000小时(较常规件提升5倍)
2. 热-力解耦架构:
铜镍复合端子与PCB热膨胀系数匹配,85℃满负荷位移<5μm
3. 误插防呆机制:
非对称卡槽设计+机械钥匙导向,安装错误率降为零
应用案例与行业价值
案例:3D NAND闪存量产线
在128层堆叠蚀刻设备中,Lam 810-073479-215实现:
· 良率突破:深孔刻蚀深度一致性标准差从4.7%优化至1.2%
· 能效提升:模块阻抗降至0.8mΩ,单设备年节电18,000kWh
· 客户实证:
“该连接板在10⁵次插拔后接触电阻仍<10mΩ,彻底解决了我厂设备振动导致的间歇性断联” —— 芯片厂设备总监

相关产品组合方案
配套型号 | 协同价值 |
810-073479-205 | 16针紧凑版(空间受限设备) |
810-073479-306 | 32针扩展版(多传感器集群) |
810-072687-523 | 光通信中继板(>10Gbps链路) |
715-065876-001 | 真空法兰组件(匹配SEMI E54标准) |
810-800082-043 | VME背板(系统控制中枢) |
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