





LAM 810-800082-043是泛林集团(Lam Research)开发的VME总线系统核心背板,属于半导体制造设备的控制中枢组件。该产品通过标准化插槽架构集成多模块通信与供电功能,为刻蚀、沉积设备提供毫秒级控制信号同步能力。

应用场景
某先进逻辑芯片厂因旧背板信号串扰导致晶圆刻蚀偏位,部署 LAM 810-800082-043 后:
· 同步控制8个RF电源模块,工艺均匀性提升至99.2%
· 设备故障诊断时间从120分钟缩短至18分钟
· 年减少因信号失真导致的晶圆报废损失$410万
核心参数速览
参数类别 | 技术规格 |
产品型号 | 810-800082-043 |
制造商 | Lam Research |
产品类别 | VME总线系统背板 |
总线架构 | VME64x标准(兼容IEEE 488.2) |
扩展能力 | 12插槽|支持热插拔 |
物理尺寸 | 220×140×50mm(铝合金加固框架) |
功率管理 | 24VDC输入|400W动态分配 |
信号接口 | PCIe Gen3×4+双千兆以太网 |
环境耐受性 | -40℃~85℃|IP54防护等级 |
抗震标准 | IEC 60068-2-6(5-150Hz, 5g振动) |
技术原理与创新价值
1. 电磁隔离矩阵技术:
六层PCB分区屏蔽设计,将500MHz高频串扰抑制至-65dBc,保障纳米级工艺信号纯净度
2. 智能功率池架构:
12插槽独立限流保护(35A/槽),铜镍复合母线使满负荷压降<0.1V
3. 机械应力消除系统:
热膨胀匹配结构(CTE 14ppm/℃)消除85℃工况下的形变微裂纹风险
应用案例与行业价值
案例:碳化硅功率器件量产线
在6英寸SiC晶圆蚀刻设备中,Lam 810-800082-043实现:
· 良率突破:同步控制16路气体阀阵,刻蚀速率波动从±7%压缩至±1.8%
· 能效优化:总线待机功耗<8W,年节电26,000kWh
· 客户实证:
“背板热插拔功能使模块更换时间缩短83%,产线年增产35,000片晶圆” —— 功率半导体制造总监
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相关产品组合方案
协同型号 | 功能定位 |
810-800081-018 | VME从控板(扩展128点I/O) |
853-001983-110 | 安全冗余控制器(SIL3认证) |
810-082745-003 | EtherCAT网关(1μs级同步精度) |
715-065876-001 | 真空密封接口组件(10⁻⁸托密封级) |
810-073479-215 | 高密度信号中继板(24针镀金接口) |
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