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810-800082-043 LAM

  • LAM 810-800082-043是泛林集团(Lam Research)开发的VME总线系统核心背板,属于半导体制造设备的控制中枢组件。该产品通过标准化插槽架...
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详情介绍

LAM 810-800082-043是泛林集团(Lam Research)开发的VME总线系统核心背板,属于半导体制造设备的控制中枢组件。该产品通过标准化插槽架构集成多模块通信与供电功能,为刻蚀、沉积设备提供毫秒级控制信号同步能力。

810-800082-043 LAM  6.png

应用场景

某先进逻辑芯片厂因旧背板信号串扰导致晶圆刻蚀偏位,部署 LAM 810-800082-043 后:

· 同步控制8个RF电源模块,工艺均匀性提升至99.2%

· 设备故障诊断时间从120分钟缩短至18分钟

· 年减少因信号失真导致的晶圆报废损失$410万

核心参数速览

参数类别

技术规格

产品型号

810-800082-043

制造商

Lam Research

产品类别

VME总线系统背板

总线架构

VME64x标准(兼容IEEE 488.2)

扩展能力

12插槽|支持热插拔

物理尺寸

220×140×50mm(铝合金加固框架)

功率管理

24VDC输入|400W动态分配

信号接口

PCIe Gen3×4+双千兆以太网

环境耐受性

-40℃~85℃|IP54防护等级

抗震标准

IEC 60068-2-6(5-150Hz, 5g振动)

技术原理与创新价值

1. 电磁隔离矩阵技术
六层PCB分区屏蔽设计,将500MHz高频串扰抑制至-65dBc,保障纳米级工艺信号纯净度

2. 智能功率池架构
12插槽独立限流保护(35A/槽),铜镍复合母线使满负荷压降<0.1V

3. 机械应力消除系统
热膨胀匹配结构(CTE 14ppm/℃)消除85℃工况下的形变微裂纹风险

应用案例与行业价值

案例:碳化硅功率器件量产线
6英寸SiC晶圆蚀刻设备中,Lam 810-800082-043实现:

· 良率突破:同步控制16路气体阀阵,刻蚀速率波动从±7%压缩至±1.8%

· 能效优化:总线待机功耗<8W,年节电26,000kWh

· 客户实证

“背板热插拔功能使模块更换时间缩短83%,产线年增产35,000片晶圆” —— 功率半导体制造总监

· 

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相关产品组合方案

协同型号

功能定位

810-800081-018

VME从控板(扩展128点I/O)

853-001983-110

安全冗余控制器(SIL3认证)

810-082745-003

EtherCAT网关(1μs级同步精度)

715-065876-001

真空密封接口组件(10⁻⁸托密封级)

810-073479-215

高密度信号中继板(24针镀金接口)

 


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